CATS測試機台總代理

過渡熱阻測試系統

  用於測量半導體內部的熱電阻平衡可靠測量裝置。 對應於高亮度的LED，如SiC的產物。 我們建議，包括多達軟件比的經驗和業績記錄的財富體系。

過渡熱阻測量儀(DVN210)
[TRANSISTOR，MOS-FET，DIODE]

  晶體管，並測量MOS-FET·二極管（θJC）的過渡熱阻如PN結（ΔMV）的溫度的變化。聯繫檢查和振盪檢測功能配備。

過渡熱阻測量儀(DVFN240)
[TRANSISTOR，MOS-FET，IGBT，二極管]

  DVFN240熱電阻測試儀的標準模型，已在世界各地的許多半導體工廠和研究機構中使用。200V，將有高達40A在800W應用的功率。

過渡熱阻測量儀(DVFN240BS)
[TRANSISTOR，MOS-FET，IGBT，二極管]

  DVFN240BS能夠在在0.1mV精度測量VF1和ΔVF的高精度的熱電阻測試儀。此外，電源時具有100W的最大99.9sec。

過渡熱阻測量儀(DVFN1010Z)
[MOS-FET，MOS-FET，IGBT，二極管]

  傳統上，1000V已經推出了很多的研究和開發部門和評估部門，是100A型更新模式。在39.9A設定也可以是999sec的很長一段時間的應用程序。

過渡熱阻測量儀(DVFN2050)
[TRANSISTOR，MOS-FET，IGBT，二極管]

  DVFN2050是熱阻測量裝置與所述最大施加電壓2000V的性能。在1200W線適用於高電壓可能的功率器件的熱評估999sec的應用。

過渡熱阻測量儀(DVFN230Z)
[MOS-FET，IGBT，二極管]

  它是高功率的熱電阻測試儀具有高達施加300A-20kV的電源。

半導體安全工作區測試系統(DDVF024ZZ)
[IGBT，二極管]

  它執行使用二極管的熱阻測量和IGBT的VCEON電壓度量的耐熱性，並且具有高達2400A施加的功率。通過將恆溫器選擇系統，用於自由地管理恆溫室的溫度，或計算出的溫度係數，使在恆定的環境溫度下的熱電阻進行測量。

高功率熱阻測試系統(DVF540ZZGC)
[TRANSISTOR，IGBT，二極管]

  DVF540ZZGC具有最大施加的電流3600A，是一個高功率的熱電阻測試儀。壓倒性的功率區域是理想的功率半導體，例如電源模塊的熱評估。

LED過渡熱阻測量儀(LDV-01D)
[LED]

  在LDV-01D是LED專用熱電阻測試儀，VF1，被顯示在以0.2mV的分辨率，VP1的ΔVF的前部，VP2可以在附帶的軟件進行顯示。隨著LED的熱電阻測試儀的一個標準的機器已在許多用戶的被使用。

LED過渡熱阻測量儀(LDV-02B)
[LED]

  LDV-02B是上漲的IF應用到2A模型。通電時間9,990sec，VF將在最多32,000mV的測量1mV的分辨率。

LED過渡熱阻測量儀(DVLE-D03)
[LED]

  DVLE-D03可以連續通過切換LED多達20個元素的測定。通電時間9,990sec，VF將顯示最多32,000mV的。

砷化鎵功率器件分析儀(DGV-E10A)
[砷化鎵FET]

  DGV系列是唯一的GaAs的熱電阻測試儀。通電時間測量9.99sec，與在0.1mV分辨率ΔVGS。

砷化鎵功率器件分析儀(DGV-J10)
[砷化鎵FET]

  DGV-J10是了VD電壓至100V，以降低功耗高達200W的應用。通電時間測量9.99sec，與在0.1mV分辨率ΔVGS。

IPS的耐熱性/溫度測量試驗系統(DVIPS-L30A)
[智能型電源開關]

  的各種性能，如在IPS的控制和驅動以及熱變化，自診斷操作可高精度地測量。